中国新闻网-上海新闻
新材料有望使神经缺损患者不再“拆东墙补西墙”
2019年12月25日 17:03   来源:中新网上海  

  中新网上海新闻12月25日电 (杨静 陈静)随着交通与建筑业的发展,因车祸、事故等意外受伤的人员数量也日益上升,这些严重外伤患者的长段神经缺损一直是临床难题,中国每年有数百万人因此肢体残疾、功能受限。

  记者25日获悉,,上海市第六人民医院研究人员在《纳米快报》(Nano Letters,影响因子12.279)在线发表了题为《一体化生物制造的三维黑磷纳米支架促进神经、血管再生和免疫稳态》的最新研究成果,报道了一种负载黑磷纳米材料的聚己内酯三维支架,在低氧化应激条件下可诱导血管新生,并刺激神经再生。研究结果提示,黑磷复合支架有望为长距离神经缺损的治疗提供新策略。

  据研究人员介绍,严重四肢创伤患者常发生肢体伴行神经缺损,而当缺损距离大于5mm时,现有的临床常用治疗方法都不太理想,一是自体神经移植,也就是俗称的“拆东墙补西墙”,这一方法存在着对供区损害、尺寸不匹配、来源有限等缺陷。有时也会采用异体神经移植,但一方面来源受限,另一方面可能产生排异反应,因此疗效并不理想。虽然神经导管有望替代现有治疗手段,为神经再生提供机械通道,然而目前大多数产品无法提供神经纤维修复所需要的营养微环境,因而只能治疗短距离缺损。

 

 

  此次研究创新性地将目光聚焦到黑磷这种新型纳米材料上。研究人员首先按不同比例制作了黑磷复合支架,多层支架表面布满微孔结构,能够为轴突生长输送营养物质。由于黑磷在动物体内的生物相容性仍然存在争议,研究人员将支架植入大鼠患肢,通过长期体内实验,证实了该材料的安全性。研究人员通过免疫荧光技术对神经再生相关标记物进行了鉴定,发现黑磷的引入确实有助于神经再生。研究明确了其修复神经损伤的机制,即黑磷纳米支架激活钙离子信号通路,上调神经内的脑源性神经营养因子水平,从而促进轴突和髓鞘再生,同时黑磷纳米支架通过调控内皮细胞增殖和迁移性能,促进微血管新生。

  上海市第六人民医院骨科的钱运博士和上海交通大学药学院的袁伟恩副研究员为该论文的共同第一作者;上海市第六人民医院骨科的范存义教授、上海交通大学医学院附属仁济医院骨科的曲新华博士和上海交通大学药学院的袁伟恩副研究员为该论文的共同通讯作者。该项研究得到了国家自然科学基金委、浦东新区科技发展基金等资助,同时也获得了上海交通大学医学院青年科技创新工作室的大力支持。
论文链接:https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.nanolett.9b03980

注:请在转载文章内容时务必注明出处!   

编辑:陈静  

5
本网站所刊载信息,不代表中新社和中新网观点。 刊用本网站稿件,务经书面授权。
未经授权禁止转载、摘编、复制及建立镜像,违者将依法追究法律责任。
常年法律顾问:上海金茂律师事务所