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中科院上海微系统与信息技术研究所:第三代半导体技术为新能源汽车普及“注能”
2024年03月19日 10:08   来源:中新网上海  

  中新网上海新闻3月19日电(樊中华)国产新能源汽车打破国际汽车产业竞争格局,市场占有率稳步提升,成为我国参与国际竞争扩大国际影响力的有力手段。虽然近年来国产新能源汽车的版图在不断扩大,但制约新能源汽车进一步普及的关键因素——续航里程和充电速度仍然久困未决。如何有效提高汽车本身的充电机功率、效率,并减少系统体积?

  “第三代半导体SiC、GaN是推动电力系统升级、实现双碳目标的重要支撑,我们提出的全SiC车载充电机方案正是发挥SiC在能源控制领域的独特优势,未来有望应用于高性能新能源汽车上,可以实现充电机的小型化同时提升充电效率,人在感觉上就是充电时间变短,续航里程增加。”在2023全球“未来产业之星”大赛期间,中国科学院上海微系统与信息技术研究所研究员程新红在接受记者专访时如是介绍。

“二合一”双向OBC应用场景 中科院上海微系统与信息技术研究所供图
“二合一”双向OBC应用场景 中科院上海微系统与信息技术研究所供图

  这一科技如要大规模应用于新能源汽车产业,是否仍旧面临挑战?

  程新红指出,其一,SiC材料的生产成本还比较高,开发低成本、大尺寸的SiC晶圆材料对推广其应用是非常必要;其二,国产SiC材料的性能有待进一步提高,尤其是满足车规级应用的高可靠性材料和工艺需进一步加强。

  此外,程新红指出,车规级应用的验证周期比较长,从一定程度上会制约新材料的应用推广。

  谈及参加此次面向国际的未来产业大赛的初衷,程新红表示,希望与同行和产业届分享项目团队在第三代半导体功率应用方面的一些想法和取得的成果。

  “材料领域是一个相对基础的领域,既需要原始创新来驱动,也需要产业合作来推广,因此国际间交流合作对促进材料领域科学和技术的进步有不可或缺的作用,发挥各国优势共同推动未来产业的发展将实现全人类共同目标。”程新红说。

SiC MOSFET保护电路拓扑架构 中科院上海微系统与信息技术研究所供图
SiC MOSFET保护电路拓扑架构 中科院上海微系统与信息技术研究所供图

  在程新红看来,此次大赛吸引了来自全世界诸多国家的企业和机构来参与,为全球创新人才交流与合作,在未来产业发展中凝聚全球创新智慧搭建了一个优质平台。

  上海有着雄厚的汽车制造业基础,程新红表示,这也为当前第三代半导体材料与器件制造的发展构筑了良好生态。

  “首先,在第三代半导体材料与工艺制造方面,上海市有完整的产业布局,尤其是在临港新片区,集中了多家龙头企业,材料领域有沪硅产业、天岳,先进制造有积塔半导体、闻泰科技等;其次,在应用推广方面,因为我们项目的应用是面向的新能源汽车,这方面一直是上海优势产业,有上汽、通用、特斯拉等大型企业。”程新红说。

  面对具有前瞻性和不确定性的未来产业,程新红表示,从事这类领域的企业往往面临比较大的经营压力,“一是希望政府能出台政策支持和助力此类企业的融资;二是希望有更多的相应应政策支持产学的深度合作,为科研创新找到转化和应用出口的同时减轻企业的研发压力。”(完)

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编辑:樊中华  

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